半導体の企業で使用されるチタニウムの放出させるターゲット
チタニウムの放出させるターゲットはシリコンの薄片の薄膜の沈殿のための半導体工業で広く利用されている。薄膜はトランジスター、ダイオードおよび集積回路のようなマイクロエレクトロニック装置の製造で、使用される。チタニウムの放出させるターゲットが半導体工業で使用されるある特定の方法はここにある:
ゲート電極:チタニウムの放出させるターゲットが金属酸化物半導体のfield-effectのトランジスター（MOSFETs）でゲート電極を作成するためにシリコンの薄片にチタニウムの薄膜を沈殿させるのに使用されている。これらのゲート電極がMOSFETsの電流の流れを制御するのに使用されている。
相互に連結する:作成するために集積回路でチタニウムの放出させるターゲットがシリコンの薄片にチタニウムの薄膜を沈殿させるのに相互に連結する使用されている。これらは使用され、集積回路の異なった部品を接続するのにである操作のために必要相互に連結する。
拡散障壁:チタニウムの放出させるターゲットが集積回路で拡散障壁を作成するためにシリコンの薄片にチタニウムの窒化物（錫）の薄膜を沈殿させるのに使用されている。これらの拡散障壁が集積回路の性能低下そして失敗を引き起こすことができるケイ素に金属の拡散を防ぐのに使用されている。
腐食のマスク:チタニウムの放出させるターゲットが腐食のマスクを作成するためにシリコンの薄片にチタニウムの薄膜を沈殿させるのに使用されている。これらの腐食のマスクが集積回路で特定のパターンおよび特徴を作成するのに使用されているエッチング プロセスの間にシリコンの薄片の特定地域を保護するのに使用されている。
要約すると、チタニウムの放出させるターゲットは半導体工業の必要な材料で、広い応用範囲のために、ゲート電極を含んで使用されたり、拡散障壁および腐食のマスク相互に連結する。